AP200N04 دیتاشیت

AP200N04

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت AP200N04
حجم فایل 69.381 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 8

مشاهده دیتاشیت AP200N04

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: ALLPOWER(ShenZhen Quan Li Semiconductor) AP200N04
  • Operating Temperature: +150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 180W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 129.6nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 40V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 6.26nF@20V
  • Continuous Drain Current (Id): 160A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1.5V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 727pF@20V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 2.4mΩ@10V,50A
  • Package: TO-220
  • Manufacturer: ALLPOWER(ShenZhen Quan Li Semiconductor)

محصولات مشابه